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美國GE貝克休斯測厚儀探頭SEB4
詳細信息| 詢價留言品牌：美國GE 型號：SEB4 加工定制：否 用途：探傷儀測厚儀探頭 是否進口：是 產地：美國 美國GE貝克休斯測厚儀探頭
應用
•結構規則簡單的大型工件檢測
•鍛件、坯料檢測
•板材、棒材、方型材
•容器、機器零部、外殼
•在高溫下用延遲塊檢測
功能特和優勢
•歐式型號具有可更換的軟保護膜：
– 改善在不平坦或彎曲表面上的耦合
– 延長探頭使用壽命。
– 適用于 DGS 缺陷定量方法
– 提供高溫延遲塊
– Lemo 1 (B..S) 或 Lemo 00 (MB..S) 連接器，標準探頭連接器安裝在側面，頂部接口可選
•美式型號具有可更換的軟保護膜：
– 保護膜可改善不平坦或彎曲表面上的耦合。
– 定期更換軟保護膜可無限期延長探頭的使用壽命。
– 高溫延遲塊可在*高 400°F (200°C) 的表面上進行檢測。
– BNC 連接器，側面或頂部安裝
這些探頭基本上能滿足所有常規檢測要求。這些常規探頭都能用于各種標準超聲探傷儀。這些探頭性能優越，可靠性高，能滿足非常嚴格的應用要求，精度高，我們探頭的技術參數都能控制在允許的誤差范圍內。雙晶探頭 型號 頻率（MHZ） 換能器尺寸（mm） 尺寸Φ(mm) 高度（mm） SEB* 1, 2, 4 6 x 20 or 7 x 18 45 65 MSEB* 2, 4, 5 3 x 10 or Ø 8 (halved) 25 45 SEB*KF 2, 4, 5, 6, 10 Ø 7 or Ø 5 (halved) 13 17 直探頭 B+S
MB*S1, 2, 4, 5
2, 4, 524
1045
2559
43K*G
K*N
K*K1, 2, 4, 6
2, 4, 6, 10
2, 5, 10, 1524
10
545
25
1160
43
17B*F
MB*F1, 2, 4, 5
2, 4, 5, 6, 1020
1031
1915
15斜探頭 頻率（MHZ） 晶片尺寸（mm×mm） 長 寬 高 WB 35-*
WB 45-*
WB 60-*
WB 70-*
WB 80-*
WB 90-*
MWB 35-*
MWB 45-*
MWB 60-*
MWB 70-*
MWB 80-*
MWB 90-*2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
2, 4
2
2, 4
2, 4
2, 4
2, 4
2, 4
420 x 22
8 x 9
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
27
27
27
27
27
2729
29
29
29
29
29
15
15
15
15
15
1545
45
45
45
45
45
22
22
22
22
22
22
美國GE貝克休斯超聲波探頭
主要特性：
•單晶探頭用于超聲脈沖的發射和接收
•通過水延遲通道進行縱波或橫波的垂直或斜向掃描（非接觸測試）
•完全不漏水的版本設計，或者帶有固定的連接電纜，或者帶有水密封的連接插座（除Microdot外）
•牢固的金屬盒
•用通常采用的線聚焦和點聚焦方式增加了缺陷識別的能力
•使用具有較高頻率的聚合物探頭，從而對非常小的非均勻性具有非常高的探測能力。
探頭分為兩大類：接觸式和水浸式
接觸法探頭
直探頭---單晶
·被檢測件有規則外形和相對光滑的接觸表面
·接觸面或平或曲
·缺陷或背反射平行于表面，可被垂直于表面的聲束探測
·適于穿透厚部件
·延遲塊用以提高近場分辨率
·需要耦合層，一般為凝膠，油類，漿糊
·通常用于手動檢測
直探頭--雙晶
·接受發射單元用串擾擋板分開
·缺陷或背反射平行于表面，可被垂直于表面的聲束探測
·近表面分辨率好，用于較薄部件
·需要耦合層，一般為凝膠，油類，漿糊
·通常用于手動檢測
斜探頭
·晶片安裝在內置的或者可更換的斜塊上
·利用折射讓縱波或者橫波沿確定角度傳播
·大多數標準探頭通過模式轉換產生橫波
·適于傾斜缺陷的檢測，如焊縫
·有單晶探頭和雙晶探頭
·需要耦合層，一般為凝膠，油類，漿糊
·有時用于機械化或自動化檢測
水浸法探頭
水浸探頭
·在水中匹配好，效率高
·適于具有不規則表面的被檢測件
·通常用于機械化或者自動化檢測
·耦合一致性好，檢測重復性高
·大型零件可以采用探頭架，溢流法或者水射流法
·探頭聚焦可以增進效果 -
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